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“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

A |     　　中新社北京8月25日电 (记者 刘文文)中国商务部新闻发言人、副部长兼国际贸易谈判副代表凌激25日在北京表示，高技术产业在中国外资增量当中，占比超过40%。　　凌激在当日国新办举行的新闻发布会上说，近几年，跨国公司对中国的投资有一些转变。    　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　首先，外商投资中国已经不仅仅看劳动力、土地这些传统的要素成本，他们更关注高效的产业生态、优越的基础设施，特别是现在的绿电、算力等新型生产要素供给，以及高效的供应链体系，充满活力的创新生态和高素质的人才供给。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。这些优势都是跨国公司在中国发展的重要驱动力，也是他们在全球形成竞争力的重要因素。

B | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。　　其次，早期跨国公司主要是瞄准中国的资金和供给的“缺口”，从引进资金、成熟技术到商业模式和管理就可以在中国较快获得成功。

C | 其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。他指出，这些年随着中国产业发展水平的提升，市场竞争日益激烈，消费应用场景的丰富和日趋多元化，越来越多跨国公司把中国作为提升其全球竞争力的“训练场”，有的还形象地叫作“健身房”。

D | 　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　他还提到，过去很多外资企业在华投资都是搭建自己的研发和供应链体系。

E | 　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。

F | 随着中国产业链供应链体系的日趋完备和高效，越来越多外资企业正在深度融入中国的产业生态，本土化水平不断提升，与中方合作伙伴的协同发展日益加强。

G | SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。　　凌激表示，伴随着跨国公司不断深耕中国市场，中国引资形势也稳中向好，当前中国吸引外资的存量比较稳定，高技术产业外资的进入不断增长。一些国家在华的商会近期发布的调查报告显示，多数外资企业在中国都实现了较好盈利，增资布局的意愿普遍提升。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。

H | 　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。

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